四氟化1碳一般認(rèn)為是惰性低毒物質(zhì),在高濃度下是窒息劑,其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應(yīng)在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過(guò)冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳,為非腐蝕性氣體,所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅,鋁等金屬材料都可以使用。四氟化碳有時(shí)會(huì)用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造,以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
四氟化碳(CF4)早就是通過(guò)氟碳直接反應(yīng)法制得的,該方法經(jīng)過(guò)不斷的發(fā)展與完善, 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,隨后通過(guò)硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過(guò)冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,后經(jīng)精餾而得成品。
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